物理辐射也可能导致脑瘫

若新生儿有早产、出生体重小于2500克、出生前后缺氧、黄疸损伤、先天性感染、胚胎发育缺陷或宫内发育过程中各种有害因子侵袭、生后1个月内危重疾病所致脑损伤等以上情况,那么每10个新生儿中就有一个是发生脑瘫的机率更大。

另外,物理因素引起脑瘫的情况往往都是在胎儿发育过程中受到辐射从而导致大脑发育不全或者发育迟缓而发生脑瘫。这个说法是事实,生活中是有这个情况发生可能性的。辐射是会对胎儿的脑部发育是有影响的,所以一般在孕妇早期,一般会采取防辐射的措施,例如孕妇可以带可以防辐射的围裙等等,这些至少会有一定的作用的。我们生活在一个充满着电离辐射的世界里,特别是一些经常做磁共振的,或者其他一些职业会经常接触高辐射的肯定要做好防辐射的措施了。

引起脑瘫的原因主要有遗传和染色体疾病、先天性感染、父母吸烟,酗酒等不良嗜好也造成的影响,或者孕妇的一些疾病如糖尿病,高血压综合症以及过多服用避孕药等也可能是产前脑瘫的发病原因。胎儿在宫内窒息、羊膜炎、胎位异常及脐带过短也是重要高危因素。婴儿分娩开始到生后一周内的脑损伤,包括脑水肿、新生儿休克、脑内出血、败血症或中枢神经系统感染、缺血缺氧性脑病等。围产因素可能是引起早产儿脑瘫的重要原因。围产因素指发生在晚期新生儿以后的因素包括从1周至3或4岁间发生的中枢神经系统感染、脑血管病、头颅外伤、中毒等各种引起的非进行性脑损伤的病因。此外新生儿惊厥是脑瘫最重要的危险因素。